RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
60
Rund um -173% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
17.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3653
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link