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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
60
Intorno -173% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
22
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3653
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
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