RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
77
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2673
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link