RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
77
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2673
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link