RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology C 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
77
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
6.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
1983
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology C 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link