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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology C 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology C 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
13.2
写入速度,GB/s
2,622.0
6.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1983
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology C 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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