RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2104
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link