RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2104
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link