Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Unterschiede

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 39
    Rund um 28% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 7.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 6.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 8500
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 39
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 7.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 6.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1988 left arrow 1768
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche