Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 39
    Intorno 28% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.7 left arrow 7.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.5 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 8500
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 39
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.7 left arrow 7.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.5 left arrow 6.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1988 left arrow 1768
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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