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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
39
Velocità di lettura, GB/s
12.7
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
1768
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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