RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2832
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link