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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
35
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
25
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2832
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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