Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Unterschiede

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 60
    Rund um 42% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 2,381.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 6400
    Rund um 1.66% höhere Bandbreite
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5 left arrow 14.4
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 60
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.4 left arrow 5,082.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 2,381.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2321 left arrow 925
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RAM 2

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