RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2275
3147
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link