RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2688
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link