RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2688
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link