RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
18.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3731
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Catalyst 256NU8 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link