RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3731
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link