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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
49
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
2458
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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