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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
51
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2717
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
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