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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
51
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
46
读取速度,GB/s
9.8
14.2
写入速度,GB/s
8.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2717
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
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