RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
64
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2197
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link