RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
64
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
64
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2197
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link