RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2893
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link