RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
68
Rund um -240% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
3327
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link