RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2713
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link