RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de -9% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2713
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Kingston 99U5402-462.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link