RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
57
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2213
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link