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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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