RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
16.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3706
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link