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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
71
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
6.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
4.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
10600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
1092
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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