Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Unterschiede

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 71
    Rund um 58% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.8 left arrow 4.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 8500
    Rund um 1.25 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    30 left arrow 71
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 6.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.8 left arrow 4.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1479 left arrow 1092
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RAM 1
RAM 2

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