RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3446
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link