RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2713
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link