RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
7.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2248
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link