RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
8500
Rund um 2.75 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
14.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
23400
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3419
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link