RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Vergleichen Sie
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2717
2713
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link