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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
29
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
21300
Rund um 1.1 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
23400
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
3093
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