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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Confronto
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
29
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
21300
Intorno 1.1 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
29
Velocità di lettura, GB/s
17.7
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.7
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
23400
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3075
3093
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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