RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
3564
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link