RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
44
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3809
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965426-088.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M391B5773DH0-YH9 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link