RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
21.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3809
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link