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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
AMD R744G2606U1S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
76
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R744G2606U1S 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
1809
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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