RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
76
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.7
1,711.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
76
Скорость чтения, Гб/сек
4,018.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,711.1
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
1809
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Сравнения RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Jinyu 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link