RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
66
Rund um -120% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
3568
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link