RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
66
Intorno -120% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
30
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3568
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link