RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
60
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
10.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
2384
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link