RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
63
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
21.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
17.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3788
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link