RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
63
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
8.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2370
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link