RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2370
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link