RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
66
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
9.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
1934
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link